文件名称：多孔金字塔型黑硅电极的制备及其光电性能研究 (2013年)
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更新时间：2024-06-09 21:17:36
工程技术 论文
介绍了一种不需要抗反射层的多孔黑硅的制备方法.通过两步法在n-硅上合成得到具有梯度折射的多孔金字塔型表面,该表面能有效降低硅片对太阳光的反射,对可见光区太阳光的反射率可降至2.24%,因此,有利于光电转换效率的提高.I-V曲线测试表明:多孔金字塔型硅电极的最大电流密度可达0.969 mA/cm2,光电转换效率为22 .3 % .