H2表面处理形成A1/n型6H-SiC欧姆接触及其退化机制 (2003年)

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文件名称：H2表面处理形成A1/n型6H-SiC欧姆接触及其退化机制 (2003年)

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更新时间：2024-05-28 04:27:05

自然科学 论文

作者通过氢气表面热处理，获得了具有较好特性的Al/n-6H-Sic欧姆接触。在这种H2处理后的SiC表面，可以直接通过蒸铝（A1）形成欧姆接触，而无须进行退火处理。该方法也适用于低掺杂外延层上的欧姆接触。XPS测试表明，这种欧姆接触是在400℃以上的退化时，由AI及6H-SiC中的Si元素互扩散所致。