文件名称：低噪声四管像素CMOS图像传感器设计与实现 (2009年)
文件大小：801KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-06-08 16:15:02
自然科学 论文
基于SMIC0.18μm工艺设计了一种低噪声的四管像素结构。通过在像素内增加传输管和存储节点实现了相关双采样,可同时消除固定模式噪声和随机噪声;采用Pinned光电二极管技术大幅降低了表面暗电流。所设计像素尺寸为3.6μm×36μm,并将其应用于一款648×488像素阵列CMOS图像传感器,经流片测试,图像传感器信噪比可达42dB,在25℃下表面暗电流为25mV/s(转换成电压表示的)。所设计的四管Pinned光电二极管像素结构相对于传统三管像素结构,具有较低的噪声和暗电流。