文件名称:碳热还原法合成Tig2-SiC复合粉末及其机理分析 (2012年)
文件大小:315KB
文件格式:PDF
更新时间:2024-06-17 17:43:09
自然科学 论文
以硅溶胶、炭黑、Ti0Z和B4C为原料,采用碳热还原法合成lliB2siC复合粉末。研究了反应温度、'1'i0Z添加量对合成lliB2siC复合粉末的物相组成和显微形貌的影响;对反应过程进行了热力学分析和计算,并探讨了lliB2siC复合粉末的生长机理。结果表明:lliB2siC复合粉末适宜的合成条件为在1600℃保温1h。在反应过程中,TiB:先于SIC生成,TiBZ的生成改变了SIC的生长方式。当复合粉末中TiBZ的质量分数为10%左右时,SIC的合成过程由气-固(v-s)反应转变为气-固(v-s)和