碳热还原法合成Tig2-SiC复合粉末及其机理分析 (2012年)

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文件名称：碳热还原法合成Tig2-SiC复合粉末及其机理分析 (2012年)
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更新时间：2021-05-28 23:56:29
自然科学 论文 以硅溶胶、炭黑、Ti0Z和B4C为原料,采用碳热还原法合成lliB2siC复合粉末。研究了反应温度、'1'i0Z添加量对合成lliB2siC复合粉末的物相组成和显微形貌的影响;对反应过程进行了热力学分析和计算,并探讨了lliB2siC复合粉末的生长机理。结果表明:lliB2siC复合粉末适宜的合成条件为在1600℃保温1h。在反应过程中,TiB:先于SIC生成,TiBZ的生成改变了SIC的生长方式。当复合粉末中TiBZ的质量分数为10％左右时,SIC的合成过程由气-固(v-s)反应转变为气-固(v-s)和