文件名称：碳热还原法制备SiC纳米线及其结构表征 (2012年)
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更新时间：2024-07-02 01:30:13
自然科学 论文
采用简单的碳热还原法,以碳粉和Si O2微粉分别作为碳源和硅源,在1550℃高温真空气氛箱式炉中制备SiC纳米线。并利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)、傅里叶变换红外(FTI R)等测试手段对反应产物进行组分、形貌和结构表征。研究结果表明:产物为直线六棱柱形状的β-Si C纳米线,直径在50～300 nm之间,纳米线内部含有较多的堆垛层错;纳米线主要以气―固(VS )机制生长。