Be掺杂浓度对ZnBeO体系电子结构的影响 (2012年)

时间:2024-06-06 06:28:30
【文件属性】:

文件名称:Be掺杂浓度对ZnBeO体系电子结构的影响 (2012年)

文件大小:2.76MB

文件格式:PDF

更新时间:2024-06-06 06:28:30

工程技术 论文

采用基于密度泛函理论的第一原理方法,计算了Zn16-nBenO16掺杂体系所有的652种不同几何构型。结果表明:掺人ZnO的Be原子均匀分散,不出现聚集,与实验中没有观测到ZnO和BeO出现相分离这一现象吻合;掺杂浓度为25%、50%和75%时,掺杂的Be原子均匀对称地分布在32个原子组成的超原胞中,此时体系处于最稳状态;优化Be浓度从。到100%的掺杂体系几何结构,获得的晶格参数与实验值吻合较好,符合Vegard'Law拟合带隙曲线,得到的禁带弯曲系数b为5.76eV。


网友评论