文件名称：Cu上CNT膜的合成及其强脉冲发射特性*
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更新时间：2024-04-26 10:20:34
强流脉冲发射; 碳纳米管; 铜基底; 稳定性
为了研究碳纳米管薄膜的强流脉冲发射特性，采用交替菁铁高温热解方法在机械抛光铜基板上直接生长了碳纳米管薄膜，Cu-CNT生长方向各异。在20 GW脉冲功率源系统中采用二极结构对Cu-CNTs的强流脉冲发射特性进行研究，研究结果表明：在单脉冲发射条件下，随脉冲峰值的增大，Cu-CNTs薄膜的发射电流瞬变呈线性增加，当宏场强为15.5 V /μm时，发射脉冲电流的峰值可达到5.56 kA，对应的发射电流密度0.283 kA / cm2，当宏场强达到32.0 V /μm时，发射脉冲电流的峰值可达到18.19 kA，对应的发射电流密度0.927 kA / cm2，发射电流能力明显超过已有报道。在相同的峰值，连续多脉冲情况下，碳纳米管薄膜具有良好的发射可重复性，且发射性能稳定。