衬底温度对溅射硅基铜膜(Cu/Si)应力的影响研究 (2004年)

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文件名称：衬底温度对溅射硅基铜膜(Cu/Si)应力的影响研究 (2004年)

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更新时间：2024-07-04 09:53:02

自然科学 论文

薄膜应力的存在是薄膜制备过程中需要认真考虑的普遍问题。本文对溅射硅基铜膜应力受衬底温度的影响进行了讨论。实验中衬底温度分别设定为室温，50℃，100℃，150℃，200℃，250℃。实验表明：衬底温度在50～200℃之间时，铜膜平均应力变化较小，为-3.920×108Pa，应力差变化也较小。