电沉积和硒化制备CuInSe2薄膜 (2009年)

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文件名称：电沉积和硒化制备CuInSe2薄膜 (2009年)
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更新时间：2021-05-25 03:46:02
自然科学 论文 以石墨为阳极、钛片为阴极，采用恒电流法制备Cu-In预制膜，然后硒化处理得到CuInSe2薄膜。分析了预制膜和CuInSe2薄膜的相组成及其影响因素。结果表明：采用不同的电沉积工艺，可以得到不同相组成的Cu-In预制膜。在保证Cu/In小于1的条件下，降低InCl3浓度和H3Cit/CuCl2浓度比，选择较高电流，可以获得具有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜。含有CuIn相和Cu2In相的Cu-In预制膜，经硒化得到的CuInSe2薄膜具有单一CuInSe2相组成，并且符合化学剂量比要求；而只含