GaAs衬底上具有2.9μmI型发射的InAs / In0.83Al0.17As量子阱

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文件名称：GaAs衬底上具有2.9μmI型发射的InAs / In0.83Al0.17As量子阱
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更新时间：2021-03-28 15:47:50
研究论文 这项工作报告了在基于GaAs的变体In0.83Al0.17As缓冲液上生长的InAs量子阱（QW），用于I型中红外（MIR）发射。 X射线衍射和拉曼测量表明，基于GaAs的量子阱与基于InP的结构具有相似的晶格和应变条件。 原子力显微镜显示了GaAs衬底上结构的光滑表面。 对于基于GaAs的量子阱，已经实现了在2.9μm，300K下良好的光致发光发射，并且其光学质量与InP衬底上的结构相当。 有望将这种变质量子阱结构用于基于GaAs的无锑中红外激光器的演示。