在InAs / GaAs量子点附近通过Sb喷雾抑制位错

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文件名称：在InAs / GaAs量子点附近通过Sb喷雾抑制位错
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文件格式：PDF
更新时间：2021-03-19 13:15:35
Quantum dots; InAs; HRTEM; Dislocations 通过截面高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）研究了在盖上GaAs层之前进行Sb喷涂对通过分子束外延（MBE）生长的InAs / GaAs量子点（QD）的结构和性能的影响。 。与典型的盖有GaAs的InAs / GaAs QD相比，喷Sb的QD显示出更均匀的透镜形状，其厚度约为3纳米，类似于4 nm，而不是未喷Sb的QD的锥体形状。特别地，观察到位错在InAs / GaAs界面区域中被钝化并且甚至在很大程度上被抑制。量子点附近几乎没有扩展的错位。该结果很可能与InAs QD紧邻的渐变GaAsSb的形成有关，该GaAsSb为点/帽层晶格失配提供了应变释放。