文件名称：基于硅带隙能量的 1.2 V 基准电压源设计 (2014年)
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更新时间：2024-05-31 21:05:50
自然科学 论文
基于 0.35 μm CSMC（central semiconductor manufacturing corporation）工艺设计，并流片了一款典型的带隙基准电压源芯片，可输出不随温度变化的高精度基准电压。电路包括核心电路、运算放大器和启动电路。芯片在 3.3 V 供电电压，-40~80 °C的温度范围内进行测试，结果显示输出电压波动范围为 1.212 8~1.217 5 V，温度系数为 3.22×10-5°C。电路的版图面积为 135 μm×236 μm，芯片大小为 1 mm×1 mm。