文件名称：论文研究-基于硅带隙能量的1.2 V基准电压源设计 .pdf
文件大小：546KB
文件格式：PDF
更新时间：2022-09-05 03:53:35
基准电压源
基于硅带隙能量的1.2 V基准电压源设计，冯超，汪金辉，基于0.35 µm CSMC(Central Semiconductor Manufacturing Corporation)工艺设计，并流片了一款典型的带隙基准电压源芯片，可输出不随温度变化的高精度�
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