文件名称：FeCuNbSiB薄膜的纵向驱动巨阻抗效应 (2012年)
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更新时间：2024-06-03 13:49:32
自然科学 论文
采用磁控溅射方法制备了单层FeCuNbSiB薄膜,利用HP4294A型阻抗分析仪测量了经不同温度退火的3种不同厚度FeCuNbSiB薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应.实验结果表明:不同厚度薄膜样品的最佳退火温度均为300℃;经300℃退火的0.8,1.5和3.0μm厚薄膜样品在40 kHz驱动频率下的最大巨磁阻抗比分别为60.112%,262.529%和400.279%,外场灵敏度分别为1.06%,3.85%和3.03% /( A? m-1) .采用纵向驱动模式可以使单层FeCuNbSiB薄膜在低频下呈现对弱场