文件名称:SiC纳米线的合成与表征 (2013年)
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更新时间:2024-06-14 19:07:18
工程技术 论文
以葡萄糖、硅粉为原料,采用水热法与焙烧结合成功地制备出一维SiC-SiO2纳米线,与常规SiC纳米线的制备方法相比,该法焙烧温度低,操作简单.运用红外特征光谱、扫描电子显微镜、X射线粉末衍射、原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)对其研究.结果表明:所制得的纳米线为SiC-SiO2复合的核-壳结构,SiC纳米线的外层均匀地包覆上了一薄层SiO2.纳米线长度几到几十微米不等,直径200 nm左右,球形纳米颗粒生长在纳米线上,这些球形颗粒为碳化硅和无定形硅氧化物.根据试验结果,