化学浴沉积法沉积CdSe纳米晶薄膜的合成与表征

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文件名称：化学浴沉积法沉积CdSe纳米晶薄膜的合成与表征
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更新时间：2021-04-07 16:11:00
CdSe thin films; Chemical bath 以氨和三乙醇胺（TEA）为络合剂，通过化学浴沉积（CBD）制备Selenium化镉（CdSe）纳米晶薄膜， 氯化镉和Selenium代硫酸钠分别作为Cd2 +和Se2-离子的来源。 使用扫描电子显微镜（SEM），能量色散谱仪（EDS），X射线衍射（XRD）测量，透射率研究了CdSe纳米晶体薄膜的结构和光学性质与前驱体中Selenium代硫酸钠浓度或氨气浓度的函数关系。电子显微镜（TEM）和紫外可见分光光度计的测量。 结果表明，CdSe薄膜为纯立方相，由大量均匀的球形颗粒组成。 每个球形粒子都包含许多3-10 nm的纳米晶体。 随着氨浓度的增加，球形颗粒的平均直径和纳米晶体的微晶尺寸均增加。 随着氨气浓度或Selenium代硫酸钠浓度的增加，CdSe薄膜的Se / Cd原子比先增大然后减小。 CdSe薄膜的光学带隙随着氨浓度的增加而减小。 讨论了CdSe纳米晶薄膜沉积过程中的动力学和React机理。