文件名称：硼在硅纳米晶内嵌氧化硅膜中的位置和掺杂效应
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更新时间：2024-05-20 13:54:42
研究论文
在退火处理之后，通过共溅射技术实现了将硼（B）原子电激活地掺杂到嵌入Si-纳米晶体（Si-NCs）的氧化硅膜中。 研究了掺杂B原子的Si-NC的尺寸，形状和密度的演变。 Si 2p和B 1s的X射线光电子能谱观察以及Si（111）面的晶格间距减小表明B原子被掺杂到Si-NCs中。 Si-NC的微拉曼光谱的Fano效应和薄层电阻的急剧降低证实了激活的掺杂。