平面工艺SnO2薄膜甲醛气敏元件的研究* (2009年)

时间:2024-05-15 11:55:26
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文件名称:平面工艺SnO2薄膜甲醛气敏元件的研究* (2009年)

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更新时间:2024-05-15 11:55:26

工程技术 论文

用ANSYS仿真软件得到最优化的气体传感器电极结构,采用平面工艺在硅衬底上制作了3mm×2mm的直热式SnO2薄膜甲醛气敏元件。用溶胶凝胶(sol-gel)法制备了掺Pd的纳米SnO2薄膜,材料的平均粒径约为15nm。元件的最佳工作温度约为230℃,在该加热温度下测试了元件对体积分数为50×10-9的甲醛气体的灵敏度以及响应恢复时间。实验证明:元件的灵敏度随气体浓度的增大而增大,元件的响应和恢复时间均约为50s。


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