烧结温度对厚膜电阻的影响研究 (2012年)

时间:2021-05-30 06:19:29
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文件名称:烧结温度对厚膜电阻的影响研究 (2012年)
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更新时间:2021-05-30 06:19:29
工程技术 论文 以钌系R-2200厚膜电阻浆料作为研究对象,探讨了烧结温度、保温时间和升温速率工艺因素对其阻值及电阻温度系数(TCR)的影响。利用导电机理模型和液相烧结模型,说明了烧结工艺对钌系厚膜电阻性能的影响。实验数据与SEM表明:厚膜浆料烧结温度在875 ℃时,结构均匀且致密性好;烧结温度过低时,结构不稳定,功能相没有形成导电网络;而烧结温度过高时,RuO2晶粒异常长大,导电链断裂,势垒升高。

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