文件名称：散射电场对激光烧蚀制备纳米Si晶粒分布和尺寸的影响 (2014年)
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更新时间：2024-06-15 21:57:13
自然科学 论文
在10 Pa的氩气环境下采用了脉冲激光烧蚀技术(PLA)，通过引入散射电场沉积制备了纳米Si晶粒薄膜．X线衍射谱(XRD)和Raman谱测量均证实了在薄膜中已经形成了纳米Si晶粒；利用扫描电子显微镜(SEM)对所制备的薄膜进行了形貌表征．结果表明，纳米Si晶粒的分布以及其平均尺寸均相对于轴向呈对称分布，加入散射电场后纳米Si晶粒的分布范围增大，其平均尺寸最大值所对应与靶的轴向夹角变大．利用MATLAB对烧蚀颗粒在散射电场的运动过程进行数值模拟，得到与实验结果一致的规律．