电场对脉冲激光沉积纳米Si晶粒尺寸和面密度分布的影响 (2011年)

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文件名称：电场对脉冲激光沉积纳米Si晶粒尺寸和面密度分布的影响 (2011年)
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更新时间：2021-05-25 23:34:58
自然科学 论文 为了研究外加电场对脉冲激光沉积纳米Si晶粒的影响，采用XeCl准分子激光器，烧蚀高阻抗单晶Si靶，在10 Pa 氩气环境下，调整外加电压的强度，沉积制备了一系列Si薄膜．X线衍射(XRD)谱仪、拉曼(Raman)谱、扫描电子显微镜(SEM)图像均显示纳米Si晶粒已经形成，随着靶衬间距的增加，所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸和面密度分布均呈现先增大后减小的变化趋势，并且二者都在1.3 cm处达到最大值；同时随着外加电压的增大，衬底上纳米Si晶粒消失的位置离靶距离变短．从传输动力学角度，对实验结果进行了定性分析