文件名称：用于非均匀掺杂MOS器件开启电压计算的改进方法 (1988年)
文件大小：3.81MB
文件格式：PDF
更新时间：2024-07-01 16:51:39
自然科学 论文
提出一种改进了的计算衬底非均匀掺杂ＭＯＳ器件开启电压的算法。这种算法对增强（Ｅ－）和耗尽（Ｄ－）型ＭＯＳ器件都适用，且避免了对泊松方程的严格数值求解。所需计算时间短，而精度足以满足计算机工艺模拟的一需要。本算法巳在ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ中实现，取代了原程序中不正确的部分。模拟和测试结果相比较得到的一致性证实了该算法是有效的。本文还对算法的理论基础进行了讨论。