离子束改性对颗粒膜巨磁电阻效应的影响* (2002年)

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文件名称:离子束改性对颗粒膜巨磁电阻效应的影响* (2002年)

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更新时间:2024-05-27 21:53:56

自然科学 论文

用射频磁控溅射方法在Si/SiO2衬底上制备了(NiFeCo)36Ag64颗粒膜。用四探针法测量了注入Co离子前后(NiFeCo)36Ag64颗粒膜巨磁电阻效应的变化。用场发射扫描电镜分析了颗粒膜的形貌及成分。实验结果表明:注入Co离子对颗粒膜巨磁电阻有显著的影响,在相同退火温度下,注入离子可使GMR效应提高一倍以上。随着退火温度增加,颗粒膜巨磁电阻效应先增加而后减小,在360℃下退火可获得10.2%的最大室温巨磁电阻效应。


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