文件名称：温度场分布对氮化铝晶体生长习性的影响 (2012年)
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更新时间：2024-06-03 15:41:32
工程技术 论文
研究升华法制备氮化铝晶体过程中，生长区域温度场分布对晶体生长习性的影响．结果表明，当升华区与结晶区之间的温差较大时，氮化铝晶体的生长方向为c轴方向，显露面为c面；反之，温差较小时，氮化铝晶体的生长方向为与c轴垂直的a轴方向，显露面为m面．同时，生长区域温度场分布还影响晶体的生长尺寸和质量．在自行设计的双区电阻加热晶体生长装置中，通过精确控制升华区与结晶区之间的温度场，实现厘米级m面非极性氮化铝单晶体的制备，并对样品进行测试分析．