文件名称：快速热处理对PECVD碳化硅蒲膜性能的影响 (2011年)
文件大小：704KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-05-26 11:31:48
自然科学 论文
使序PECVD在p型单晶硅衬底上沉积非晶碳化硅簿膜,研究快速热处理对簿膜的钝化性能和光学性能的影响。结果显示:随着热处理温度从450℃升高到850℃,簿膜厚度迅速减小;在650℃及以下温度进行热处理后折射率基本不变,但温度继续上升折射率迅速上升;情时热处理对簿膜的厚度和折射率的影响能在很短时间内完成,使簿膜迅速致密化。在低于750℃热处理时,衬底少子寿命增加,在热处理温度高于750℃后少子寿命急剧下降。碳化硅簿膜的反射率在快速热处理之后基本不变。