文件名称：退火工艺对SiN膜及SiO2/SiN双层膜钝化特性的影响 (2008年)
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更新时间：2024-06-12 17:15:24
自然科学 论文
针对硅太阳电池的背表面钝化，研究了在多晶硅P型衬底上SiN膜及SiO2/SiN双层膜的热稳定性及在不同温度下两种膜的退火特性。通过准稳态光电导衰减法测试其少数载流子寿命，发现siN膜比较适合于在500℃以内的温度下进行常规炉热退火，而SiO2/SiN双层膜则比较适合在600～700℃之间的温度下进行常规炉热退火。对siN膜进行链式炉热退火实验表明，低温（700～850cC）条件下表面钝化效果最好。