二氧化硅的湿蚀刻简介

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文件名称：二氧化硅的湿蚀刻简介

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更新时间：2024-01-28 03:36:09

二氧化硅的湿蚀刻

SiO2膜在微技术中具有两个主要作用：作为介电层或作为掺杂/蚀刻掩模。在这两种情况下，通常都需要图案化。当在高温烘箱中通过硅衬底的氧化获得时，SiO2被称为“热”。否则，它可以通过化学气相沉积（CVD）作为附加层而获得，不需要硅衬底。