文件名称：GaN的晶体湿化学蚀刻
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文件格式：DOC
更新时间：2024-07-18 07:07:37
GaN的晶体湿化学蚀刻
摘要：目前大多数 III 族氮化物的加工都是通过干式等离子体蚀刻完成的。 干式蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤，并且难以获得激光所需的光滑蚀刻侧壁。典型的均方根 ~rms！通过干法蚀刻产生的侧壁的粗糙度约为 50 nm，尽管最近已经报道了具有低至 4±6 nm 的 rms 粗糙度的表面。光增强电化学~PEC！湿法蚀刻也已被证明用于蚀刻氮化镓~GaN！。PEC蚀刻具有设备成本相对较低、表面损伤小等优点，但目前还没有找到生产光滑垂直侧壁的方法。还报道了 GaN 的解理面，其均方根粗糙度在蓝宝石衬底上生长 GaN 的16 nm 和尖晶石衬底上生长 GaN 的 0.3 nm 之间变化。