高纯铝片抛光工艺及对氧化铝模板的影响 (2011年)

时间:2024-06-05 01:53:49
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文件名称:高纯铝片抛光工艺及对氧化铝模板的影响 (2011年)

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更新时间:2024-06-05 01:53:49

自然科学 论文

在多孔阳极氧化铝(Porous anodic alumina,PAA)制备过程中,为了得到更稳定的电解过程,实现高度有序的纳米孔阵列结构,对高纯铝片表面进行抛光是一个典型的、必要的步骤。为此系统研究了高氯酸/乙醇抛光液体系在不同电压(1,5,10,20V和25V)和不同时间(10,60s和180s)下的抛光工艺,以及抛光对高纯铝片表面以及PAA的影响,获得用于制备 PAA模板较合适的抛光工艺,即抛光电压为10V,抛光时间为l80s。


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