文件名称：First principles calculation on ternary stannide phase narrow band gap semiconductor Na2MgSn (2014年)
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更新时间：2024-05-13 09:15:43
工程技术 论文
利用基于密度泛函理论（DFT）的广义梯度近似（GGA）研究Na2MgSn的电子结构、化学键、弹性和光学性质。能带结构显示Na2MgSn为间接带隙材料，带隙宽度为0.126 eV；态密度和分态密度计算结果表明，费米能级附近的态密度主要来自Na、Mg和Sn的p态电子；布居分析表明Na2MgSn中的化学键具有以共价性为主的混合离子共价特征。计算得到Na2MgSn的晶格参数、体模量、剪切模量和单晶的弹性常数，由此导出弹性模量和泊松比。结果表明，Na2MgSn是力学稳定的，且具有一定的脆性。光学函数表明Na2MgS