斜入射坡莫合金薄膜的磁电阻效应 (1962年)

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文件名称:斜入射坡莫合金薄膜的磁电阻效应 (1962年)

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更新时间:2024-06-20 21:29:38

自然科学 论文

研究了斜入射蒸镀的坡莫合金薄膜在室温下的磁电阻效应。测量结果表明:(1)斜入射膜的磁电阻效应是各向异性的,但在电流方向不变时ΔR_(Sα)/ΔR_0=cos~2α的关系仍然成立;(2)由ΔR_(rα)/ΔR_0与剩磁状态前饱和磁化的磁场方向无关,也可以决定膜的单轴性;(3)测定了外加磁场几乎垂直于膜面时的磁电阻变化与外加磁场的关系,并与Stoner-Wohlfarth转动模型的计算结果作了比较,它们定性地一致。


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