文件名称：闪闪存存定定时时-《微服务架构基础（spring boot+spring cloud+docker）》
文件大小：2.3MB
文件格式：PDF
更新时间：2024-07-01 19:21:24
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6.17 闪闪存存定定时时 Table 6-65. 对对于于 A 和和 S 温温度度材材料料的的闪闪存存耐耐受受度度 (1) 擦擦除除/编编程程 最最小小值值 典典型型值值 最最大大值值 单单位位 温温度度 Nf 闪存对于阵列的耐受度（写入/擦除周期） 0°C 至 85°C（环境温度） 20000 50000 周期 NOTP OTP 对于阵列的耐受度（写入周期） 0°C 至 85°C（环境温度） 1 写入 (1) 所示温度范围之外的写入/擦除操作并未说明，有可能影响耐受数。 Table 6-66. 闪闪存存对对于于 Q 温温度度材材料料的的耐耐受受度度 (1) 擦擦除除/编编程程 最最小小值值 典典型型值值 最最大大值值 单单位位 温温度度 Nf 闪存对于阵列的耐受度（写入/擦除周期） -40°C 至 125°C（环境温 20000 50000 周期 度） NOTP OTP 对于阵列的耐受度（写入周期） -40°C 至 125°C（环境温 1 写入 度） (1) 所示温度范围之外的写入/擦除操作并未说明，有可能影响耐受数。 Table 6-67. 150MHz SYSCLKOUT 上上的的闪闪存存参参数数：： 参参数数 测测试试条条件件 最最小小值值 典典型型值值 最最大大值值 单单位位 编程时间 16 位字 50 μs 32K 扇区 1000 ms 16K 扇区 500 ms 擦除时间 (1) 32K 扇区 2 s 16K 扇区 2 s IDD3VFLP (2) 擦除/编程周期期间的 VDD3VFL流耗 擦除 75 mA 编程 35 mA IDDP (2) 擦除/编程周期期间的 VDD流耗 180 mA IDDIOP (2) 擦除/编程周期期间的 VDDIO流耗 20 mA (1) 当器件从 TI 出货时，片载闪存存储器处于一个被擦除状态。 这样，当首次编辑器件时，在编程前无需擦除闪存存储器。 然而，对于所有 随后的编程操作，需要执行擦除操作。 (2) 室温下包括函数调用开销在内的典型参数，是在所有外设关闭时的参数。 Table 6-68. 闪闪存存 / OTP 访访问问时时序序 参参数数 最最小小值值 最最大大值值 单单位位 ta(fp) 页式闪存访问时间 37 ns ta(fr) 随机闪存访问时间 37 ns ta(OTP) OTP 访问时间 60 ns Table 6-69. 闪闪存存数数据据保保持持持持续续时时间间 参参数数 测测试试条条件件 最最小小值值 最最大大值值 单单位位 t保持 数据保持持续时间 TJ=55°C 15 年 182 电气规范 Copyright © 2007–2012, Texas Instruments Incorporated Submit Documentation Feedback Product Folder Links: TMS320F28335 TMS320F28334 TMS320F28332 TMS320F28235 TMS320F28234 TMS320F28232