文件名称：热处理温度对AlP/SiO_2纳米复合材料发光的影响 (2001年)
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更新时间：2024-06-19 12:39:25
自然科学 论文
对不同温度热处理的xAlP/1 0 0SiO2 纳米复合材料的光致发光进行了研究.结果表明,50 0℃热处理的样品光致发光谱只有位于585nm附近的发光峰,它来源于表面态和缺陷复合发光.6 0 0℃热处理的样品有两个发光峰,分别位于585nm和6 35nm附近.分析认为,6 35nm处的发光是被弛豫至表面态的电子和空穴通过隧穿复合发光;材料热处理温度的提高有利于晶粒的生长,从而使表面态和缺陷发光明显减弱,出现另一由于隧穿复合产生的发光峰