文件名称：熔化过程中近化学计量的 CdTe 的热电和结构特性
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更新时间：2024-07-19 15:14:37
学术 论文
非化学计量银硫属元素化物 B. Mogwitza, G. Becka, F. Gruhlb, M. von Kreutzbruckb, J. Janeka,* aPhysikalisch-Chemisches Institut bigder Univers-L Heinrich-Buff-Ring 58, D-35392 Gießen bInstitut für Angewandte Physik der Justus-Liebig-Universität, Heinrich-Buff-Ring 16, D-35392 Gießen 磁阻； 非化学计量学 最近，在成分介于“Ag2,01Se”和“Ag2,33Se”之间的半导体 α-Selenium化银样品中发现了大的正磁阻 (MR) 效应 [1]。 在室温和 5.5 T 的磁场下观察到高达 120% 的 MR 效应。磁场依赖性显示没有证据表明高达 5.5 T 的饱和，并且线性下降至 10 mT。 从相图中可知，银过量高于 δmax 10 4 的 α-Ag2δSe 样品是异质的。 因此，我们制备了在相场内具有精确定义的银过量的均质 α