【文件属性】：
文件名称：熔化过程中近化学计量的 CdTe 的热电和结构特性
文件大小：38KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-06-29 21:27:57
学术 论文
非化学计量银硫属元素化物
B.
Mogwitza,
G.
Becka,
F.
Gruhlb,
M.
von
Kreutzbruckb,
J.
Janeka,*
aPhysikalisch-Chemisches
Institut
bigder
Univers-L
Heinrich-Buff-Ring
58,
D-35392
Gießen
bInstitut
für
Angewandte
Physik
der
Justus-Liebig-Universität,
Heinrich-Buff-Ring
16,
D-35392
Gießen
磁阻；
非化学计量学
最近，在成分介于“Ag2,01Se”和“Ag2,33Se”之间的半导体
α-Selenium化银样品中发现了大的正磁阻
(MR)
效应
[1]。
在室温和
5.5
T
的磁场下观察到高达
120%
的
MR
效应。磁场依赖性显示没有证据表明高达
5.5
T
的饱和，并且线性下降至
10
mT。
从相图中可知，银过量高于
δmax
10
4
的
α-Ag2δSe
样品是异质的。
因此，我们制备了在相场内具有精确定义的银过量的均质
α