应变对InxGa1-xAs能带结构的影响 (2012年)

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文件名称：应变对InxGa1-xAs能带结构的影响 (2012年)

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更新时间：2024-06-03 02:15:32

自然科学 论文

从理论上计算生长在GaAs衬底上的InxGa1-xAs合金材料的带隙变化，分析应变对其能带结构的影响。结果表明，InxGa1-xAs所受应变与In组分近似为线性关系；在应变的影响下材料带隙变大，价带能级产生分裂。利用合金组分的变化与InGaAs带隙的变化关系，可实现对材料带隙的调节，对器件的研究设计提供参考。