文件名称：Cr，Mo对Cu/Si(100)薄膜体系结构、电阻率及扩散性能的影响 (2007年)
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更新时间：2024-06-06 10:37:51
自然科学 论文
利用简易合金靶材在Si(100)基底单靶磁控溅射制备Cu(Cr)、Gu(Mo)薄膜．研究薄膜在300～500 ℃退火前后的结构、电学及扩散性能的变化．结果表明，Cr、Mo的加入增强了Cu薄膜的(111)织构，且溅射态薄膜电阻率显著增加．真空退火后，Cu(200)和Cu(220)衍射峰增强，但薄膜保持较强的(111)织构．Cu(1.19％Cr)薄膜电阻率随温度升高先减小后增加，400 ℃退火后电阻率最小，为2.76μΩ·cm，接近纯Cu薄膜(2.55μΩ·cm)；而Cu(1.28％Mo)薄膜的电阻率一直呈下