文件名称：Cr掺杂对Cu/Si(100)薄膜体系的微观结构及电阻率的影响 (2007年)
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更新时间：2024-05-18 01:19:12
工程技术 论文
利用简易合金靶在 Si(100)衬底磁控溅射制备 Cu、Cu-1.19%Cr和 Cu-2.18%Cr薄膜,研究 Cr对 Cu薄膜在 300~500 ℃真空退火前后的结构和电阻率的影响。X射线衍射分析表明: Cu及 Cu(Cr)薄膜均呈现 Cu(111) 和Cu(200)衍射峰,并且 Cu(Cr)薄膜一直保持较强的(111)织构。原子力显微分析表明: Cu薄膜在 500 ℃退火时,薄膜与硅基底发生明显的互扩散,薄膜表面的致密度及平整度下降;而 Cu(Cr)薄膜在退火时保持较高的致密度,Cr 显著提高 Cu/