从加热的钨箔直接生长氧化钨纳米棒

时间:2024-05-27 12:50:05
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文件名称:从加热的钨箔直接生长氧化钨纳米棒

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更新时间:2024-05-27 12:50:05

W18O49; fast heating CVD; field

通过在低压湿氧中直接加热覆盖有溴化钾(KBr)的钨箔来生长氧化钨(W18O49)纳米棒。 该方法的优点是操作方便,成本低和可快速接近高温。 据信固液固(SLS)机制主导了生长过程,其中W18O49纳米棒与钨酸钾和氧化钨的共晶液滴分离。 紫外光电子能谱(UPS)分析显示,这些纳米棒的价带最大值(VBM)低于真空水平约9 eV。 测试了使用这种纳米棒作为场发射器的可行性,并讨论了相关机理。


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