从加热的钨箔直接生长氧化钨纳米棒

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文件名称：从加热的钨箔直接生长氧化钨纳米棒
文件大小：872KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-07 19:03:25
W18O49; fast heating CVD; field 通过在低压湿氧中直接加热覆盖有溴化钾（KBr）的钨箔来生长氧化钨（W18O49）纳米棒。 该方法的优点是操作方便，成本低和可快速接近高温。 据信固液固（SLS）机制主导了生长过程，其中W18O49纳米棒与钨酸钾和氧化钨的共晶液滴分离。 紫外光电子能谱（UPS）分析显示，这些纳米棒的价带最大值（VBM）低于真空水平约9 eV。 测试了使用这种纳米棒作为场发射器的可行性，并讨论了相关机理。