用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量* (2005年)

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文件名称：用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量* (2005年)
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更新时间：2021-06-15 11:26:51
自然科学 论文 以颗粒硅带为衬底，通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层。为了改善硅带衬底的质量，引入区熔再结晶的方法，期望将其表面平整度及结晶质量进一步提高，进而改善以其为衬底的多晶硅薄膜质量。借助台阶仪、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）等手段对颗粒硅带及多晶硅薄膜进行了表面轮廓、结晶质量和微观形貌的表征。结果表明：区熔后的颗粒硅带表面平整度得到了较好的改善；表面具有[311]择优方向的硅带区熔后都倾向[111]择优；在区熔硅带衬底上沉积的多晶硅薄膜晶粒尺寸在100μm以上，但暂无明显证据证明区熔