文件名称：高分子辅助化学溶液沉积法制备涂层导体 SrZrO3(SZO)缓冲层 (2013年)
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更新时间：2024-06-20 08:49:33
工程技术 论文
采用高分子辅助的化学溶液沉积法，通过720～800 ℃之间进行烧结成相，分别在氩气和空气中SrTiO3（STO）单晶基底上沉积得到织构良好的SrZrO3（SZO）外延薄膜，重点研究不同热处理气氛对SZO薄膜织构和表面微结构的影响。结果表明：氩气中制得的SZO外延薄膜c轴取向较好，且表面更加平整致密；氩气中770 ℃制备的SZO薄膜厚度超过230 nm。而空气中制得的SZO薄膜表面呈现局部团聚和开裂。在氩气中采用高分子辅助的化学溶液沉积法有利于制备出低成本、高性能的涂层导体用单一SZO缓冲层。