文件名称：AIGaN/GaN HEMT研制及特性分析 (2005年)
文件大小：1.88MB
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更新时间：2024-06-05 13:24:06
自然科学 论文
以蓝宝石为衬底研制出栅长1μmAlGaN/GaN HEMT。在室温下，测试该器件显示出良好的输出特性和肖特基伏安特性，最大跨导160mS/mm，栅压1V下饱和电流720mA/mm，击穿电压大于50V。分析了几个关键工艺对器件特性的影响，指出较大的欧姆接触电阻（3.19Ω·mm）限制了器件性能进一步提高，需提高肖特基接触的势垒高度。