文件名称：GaN HEMT器件小信号模型参数的灵敏度分析
文件大小：1.05MB
文件格式：PDF
更新时间：2024-05-30 11:44:01
灵敏度分析; 参数提取; 小信号模型; HEMT
本文推导了Ga N HEMT小信号等效电路模型中本征参数对测量S参数的灵敏度表达式。并对栅宽为2×100μm、栅长为0.25-μm的Ga N高电子迁移率晶体管进行了小信号建模和灵敏度分析。同时,利用ADS仿真工具对模型进行了仿真验证,模拟结果表明,在500MHz~40GHz频率范围内和在片S参数测试结果吻合很好。