文件名称：ZnO紫外光电导型探测器的制备与研究 (2007年)
文件大小：301KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-06-03 03:41:20
工程技术 论文
通过红M（CVI）方法生长的ZnO薄膜上沉积AI/Au义指状电极制得ZnO紫外光电导刊探测器，对该探测器的欧姆接触特性、光电响应特性以及光谱响应特性进行了测试研究，并根据AES、XPS分析结粜对测试结果进行了理论分析。结果表明，即使在未进行合金工艺的情况下，非合金AI/ZnO金属体系与n型ZnO也可以形成良好的欧姆接触，正向偏压下，探测器的暗电流与光电流随外加偏压线忡增加；探测器对紫外此潜具有明显的响心，其响应截止波长为368nm。XPS分析表明，在ZnO薄膜表而存在着-定的O空位Zn间隙。非化学汁城的O