文件名称：IGBT RBSOA失效原因分析
文件大小：1.75MB
文件格式：PDF
更新时间：2024-07-26 18:56:56
IGBT芯片电流
一种绝缘栅双极晶体管模块在做反向偏置安全工作区测试时，器件在较低的关断电流下就发生了损坏。失效分析显示失效区的位置靠近栅极条区。模拟显示失效区处元胞结构并非对称，而正常元胞结构是对称的，由此造成了该处元胞的问锁电流密度比对称结构元胞的问锁电流密度低。因此，元胞结构的一致性不好是RBSOA关断电流低的原因。通过修改版图设计，使工作区元胞结构一致。对改版后的芯片封装后进行RBSOA测试，结果显示安全关断电流有明显提高。