SOI MOSFET寄生双极晶体管效应的研究 (2004年)

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文件名称：SOI MOSFET寄生双极晶体管效应的研究 (2004年)

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更新时间：2024-05-28 20:22:17

工程技术 论文

研究了硅膜掺杂浓度、厚度和硅化物厚度等工艺条件对SOI MOSFET寄生双极晶体管增益的影响。提高体区掺杂浓度、增加硅膜和硅化物厚度能够减小增益。原因是：①基区杂质浓度增加，减弱了发射极向基区注入多子，增强了基区向发射区的少子注入；②增加硅化物厚度会增加其横向扩展，减小发射极的注入效率。