文件名称：集成CMOS温度传感器设计、实现和测试 (2010年)
文件大小：323KB
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更新时间：2024-05-16 22:15:15
工程技术 论文
基于MOS管的阈值电压和载流子迁移率随温度的变化关系，设计了一种与CMOS工艺兼容的集成温度传感器。该温度传感器选用charted 0.35μm工艺库，以Cadence进行电路图、版图设计，并以Cadence Spectre工具进行仿真，最后经流片、测试，实测与仿真对比结果显示：温度在25～105℃之间变化时，输出频率的变化范围为10.19～5.81MHz，且有较好的线性。此传感器对片上系统温度的监测、过热报警和振荡器频率漂移的补偿等均有重要的意义。