文件名称：新型低功耗CMOS片上温度传感器设计* (2011年)
文件大小：360KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-05-15 12:04:09
工程技术 论文
为了精确的测量超大规模集成电路芯片表面的温度，监控电路工作状态和进行过热保护，采用一种新型CMOS片上温度传感器结构。首先利用两个衬底PNP管的基一射电压差△VBE。的PTAT特性来感测温度，然后利用偏置电路镜像过来的PTAT电流来控制一个三阶的环型振荡器，产生频率与温度成正比的振荡信号，再利用测频电路转化为8位数字。利用0.13μm CMOS工艺设计，版图面积仅为0.02mm2。功耗为0.3μW（100 sample/S）。后版图仿真结果显示，在-60℃到160℃温度范围内的测量精度为±3.5℃（校准后