大面积金刚石薄膜的均匀性 (2007年)

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文件名称：大面积金刚石薄膜的均匀性 (2007年)
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更新时间：2021-05-15 19:03:43
工程技术 论文 金刚石膜具有优异的电学、热学性质，均匀的大面积金刚右膜是其在电子领域工业化应用的前提。利用自行设计微波等离子体化学气相沉积装置在直径51 mm和76 mm硅片上制备金刚石薄膜。用扫描电子显微镜观察所得金刚石膜的表面形貌，用ZC36高阻仪测量金刚石薄膜的电阻率。通过电阻率和形貌的均匀性判断金刚石薄膜的均匀性。结果表明，基片位置的变化引起沉积温度和含碳基团的种类、浓度与原子氢浓度的改变，从而影响了金刚石薄膜的形核和生长过程，最终影响金刚石膜的均匀性。直径51mm金刚石薄膜表面形貌比直径76mm的薄膜更均匀，但