文件名称：轰击离子能量对 CNx薄膜中 sp3型C—N键含量的影响 (2003年)
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更新时间：2024-06-12 15:01:18
自然科学 论文
对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的 CNx薄膜样品的化学键合及结构进行了研究.利用不同的衬底负偏压( Vb)来控制轰击衬底表面的入射离子能量,从而影响膜中的化学键合的状态.样品的 FTIR,Raman和 XPS分析结果表明, CNx薄膜中 N原子分别与 sp, sp2和 sp3杂化状态的 C原子结合,其中 sp3型 C—N键含量先随着衬底偏压( Vb)的升高而增加,并在偏压 Vb= - 50 V时达到最大值,但随着 Vb继续升高, sp3型 C—N键含量减少.这表明 CNx薄膜中, sp3型 C—