聚噻吩修饰纳米结构TiO2膜电极光电性能研究 (2007年)

时间:2024-05-13 13:16:48
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文件名称:聚噻吩修饰纳米结构TiO2膜电极光电性能研究 (2007年)

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更新时间:2024-05-13 13:16:48

工程技术 论文

用光电流作用谱、光电流一电势图等光电化学方法研究了聚噻吩(PTh)膜和纳米结构TiO2/聚噻吩(ITO/TiO2/PTh)复合膜的光电转换性质。结果表明,PTh膜的禁带宽度为2.02eV,价带位置为-5.86 eV,导带位置为-3.84 eV。在ITO/TiO2/PTh复合膜电极中存在p-n异质结,在一定条件下异质结的存在有利于光生电子一空穴对的分离,PTh修饰ITO/TiO2电极可使光电流产生波长发生明显红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率。在实验条件下,单色光的光电转换效率最高可达到13%。


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